كتالوج المكونات الإلكترونية

IRF130

الغلاف: CAN2

IRF130 ترانزستور قدرة HEXFET MOSFET عالي الموثوقية بقناة N وجهد 100 V، مُصنّف لتيار 14 A عند 25°C، في غلاف TO-204AA (TO-3).

نوع الجهاز	ترانزستور قدرة MOSFET عالي الموثوقية بقناة N
التقنية	HEXFET MOSFET
جهد انهيار المصرف إلى المصدر	100 V حد أدنى
تيار المصرف المستمر	14 A عند حرارة الغلاف 25°C؛ و9 A عند حرارة الغلاف 100°C
تيار المصرف النبضي	56 A
مقاومة حالة التوصيل	0.18 Ω حد أقصى عند VGS = 10 V وID = 8 A
جهد البوابة إلى المصدر	±20 V حد أقصى
درجة حرارة الوصلة التشغيلية والتخزين	-55°C إلى +150°C
الغلاف	TO-204AA (TO-3)
المصدر الفني	صفحة المنتج الرسمية Infineon IRF130 وورقة بيانات عائلة IRF120/IRF130

التوفر عند الطلب

طلب عرض سعر

يتم تقديم الأسعار والكميات ورموز التاريخ وتفاصيل التعبئة بعد مراجعة المتطلبات.

أصليجديدمتوفر في المخزون

الوصول إلى صور المنتج مقيّد. سجّل الدخول بحساب معتمد