KATALOG ELEKTRONISCHER BAUTEILE
HS1-6664RH-Q
HARRIS
HS1-6664RH-Q
Gehäuse: CDIP
HS1-6664RH-Q is a radiation-hardened 64 Kbit (8K × 8) CMOS PROM from Harris/Intersil (Renesas), in a 28-lead ceramic SBDIP; DLA SMD 5962F9562601VXC.
Technische Parameter
| Device type | Radiation-hardened CMOS PROM |
|---|---|
| Organization | 8K × 8 bits (64 Kbit) |
| Ordering code | HS1-6664RH-Q |
| DLA SMD ordering number | 5962F9562601VXC |
| Package | 28-lead ceramic SBDIP |
| Operating temperature | -55°C to +125°C |
| Supply voltage | Single 5 V supply |
| Access time | 35 ns typical |
| Programming | Single-pulse 10 V field programmable |
| Outputs | Three-state |
| Radiation total dose | 300 krad(Si) high dose rate |
| Qualification | QML Class V |
| Technical source | Renesas/Intersil HS-6664RH data sheet and exact-part attributes |
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