KATALOG ELEKTRONISCHER BAUTEILE
HS9-4424RH-Q
INTERSIL
HS9-4424RH-Q
Gehäuse: GCFPAK
HS9-4424RH-Q is a radiation-hardened dual non-inverting power MOSFET driver from Renesas/Intersil in a 16-lead ceramic flatpack package.
Technische Parameter
| Device type | Radiation-hardened dual non-inverting power MOSFET driver |
|---|---|
| Ordering code | HS9-4424RH-Q |
| SMD cross-reference | 5962F9956001VXC |
| Package | 16-lead ceramic flatpack |
| Operating temperature | -55°C to +125°C |
| Supply voltage | 12 V to 18 V |
| Peak output current | Greater than 2 A minimum |
| Propagation delay | 250 ns maximum |
| Rise/fall time | 75 ns maximum at CL = 4300 pF |
| Radiation tolerance | 300 krad(Si) high dose rate |
| Qualification | QML qualified to MIL-PRF-38535 |
| Technical source | Renesas HS-4424RH data sheet |
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