KATALOG ELEKTRONISCHER BAUTEILE

IRF130

Gehäuse: CAN2

IRF130 ist ein hochzuverlässiger 100 V N-Kanal-HEXFET-MOSFET mit 14 A Nennstrom bei 25°C im Gehäuse TO-204AA (TO-3).

Bauteiltyp	Hochzuverlässiger N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Technologie	HEXFET MOSFET
Drain-Source-Durchbruchspannung	Mindestens 100 V
Dauerhafter Drainstrom	14 A bei 25°C Gehäusetemperatur; 9 A bei 100°C Gehäusetemperatur
Gepulster Drainstrom	56 A
Einschaltwiderstand	Höchstens 0.18 Ω bei VGS = 10 V und ID = 8 A
Gate-Source-Spannung	Maximal ±20 V
Betriebs-Sperrschicht- und Lagertemperatur	-55°C bis +150°C
Gehäuse	TO-204AA (TO-3)
Technische Quelle	Offizielle Infineon-Produktseite IRF130 und Datenblatt der Familie IRF120/IRF130

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