KATALOG ELEKTRONISCHER BAUTEILE

JANSR2N7382

MSC

Gehäuse: GCDIP

JANSR2N7382 is a radiation-hardened single P-channel power MOSFET rated at −100 V, supplied in a TO-257AA package.

Device type	Radiation-hardened P-channel power MOSFET
Drain-to-source voltage	−100 V
Continuous drain current	−11 A
Maximum on-resistance	0.30 Ω
Radiation assurance	100 krad(Si) total-ionizing-dose capable
Package	TO-257AA through-hole
Technical source	Infineon / International Rectifier HiRel IRHY9130CM data sheet

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