CATÁLOGO DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS
IRF130
IR
IRF130
Encapsulado: CAN2
IRF130 es un MOSFET HEXFET de canal N y alta fiabilidad de 100 V, con una corriente nominal de 14 A a 25°C, en encapsulado TO-204AA (TO-3).
Parámetros técnicos
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia de canal N y alta fiabilidad |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET HEXFET |
| Tensión de ruptura drenador-fuente | Mínimo 100 V |
| Corriente continua de drenador | 14 A con la carcasa a 25°C; 9 A con la carcasa a 100°C |
| Corriente pulsada de drenador | 56 A |
| Resistencia en conducción | Máximo 0.18 Ω con VGS = 10 V e ID = 8 A |
| Tensión puerta-fuente | Máximo ±20 V |
| Temperatura de unión en funcionamiento y de almacenamiento | -55°C a +150°C |
| Encapsulado | TO-204AA (TO-3) |
| Fuente técnica | Página oficial del producto Infineon IRF130 y hoja de datos de la familia IRF120/IRF130 |
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