CATALOGUE DE COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES
IRF130
IR
IRF130
Boîtier : CAN2
IRF130 est un MOSFET HEXFET à canal N haute fiabilité de 100 V, donné pour 14 A à 25°C, dans un boîtier TO-204AA (TO-3).
Paramètres techniques
| Type de composant | MOSFET de puissance à canal N haute fiabilité |
|---|---|
| Technologie | MOSFET HEXFET |
| Tension de claquage drain-source | Minimum 100 V |
| Courant de drain continu | 14 A à une température de boîtier de 25°C ; 9 A à une température de boîtier de 100°C |
| Courant de drain impulsionnel | 56 A |
| Résistance à l'état passant | Maximum 0.18 Ω pour VGS = 10 V et ID = 8 A |
| Tension grille-source | Maximum ±20 V |
| Température de jonction en service et de stockage | -55°C à +150°C |
| Boîtier | TO-204AA (TO-3) |
| Source technique | Page produit officielle Infineon IRF130 et fiche technique de la famille IRF120/IRF130 |
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