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CATALOGO DEI COMPONENTI ELETTRONICI

IRF130

IR

IRF130

Contenitore: CAN2

IRF130 è un MOSFET HEXFET a canale N ad alta affidabilità da 100 V, con corrente nominale di 14 A a 25°C, in contenitore TO-204AA (TO-3).

Parametri tecnici

Tipo di dispositivoMOSFET di potenza a canale N ad alta affidabilità
TecnologiaMOSFET HEXFET
Tensione di breakdown drain-sourceMinimo 100 V
Corrente continua di drain14 A con contenitore a 25°C; 9 A con contenitore a 100°C
Corrente impulsiva di drain56 A
Resistenza in conduzioneMassimo 0.18 Ω con VGS = 10 V e ID = 8 A
Tensione gate-sourceMassimo ±20 V
Temperatura di giunzione operativa e di conservazione-55°C a +150°C
ContenitoreTO-204AA (TO-3)
Fonte tecnicaPagina prodotto ufficiale Infineon IRF130 e scheda tecnica della famiglia IRF120/IRF130

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