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IRF130

IR

IRF130

封装: CAN2

IRF130 是高可靠性 100 V N 沟道 HEXFET MOSFET,25°C 时额定电流为 14 A,采用 TO-204AA(TO-3)封装。

技术参数

器件类型高可靠性 N 沟道功率 MOSFET
技术HEXFET MOSFET
漏源击穿电压最低 100 V
连续漏极电流外壳温度 25°C 时为 14 A;外壳温度 100°C 时为 9 A
脉冲漏极电流56 A
导通电阻VGS = 10 V、ID = 8 A 时最高 0.18 Ω
栅源电压最大 ±20 V
工作结温和储存温度-55°C 至 +150°C
封装TO-204AA(TO-3)
技术资料来源Infineon IRF130 官方产品页面及 IRF120/IRF130 系列数据手册

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